Samsung démarre la production d’un SSD de 4 To en mémoire NAND Flash QLC

De plus en plus de fabricants se tournent vers la mémoire NAND Flash QLC utilisant 4 bits par cellule. La firme coréenne Samsung est aussi sur le créneau et apparemment elle ne fait pas dans la demi mesure puisqu’elle annonce sur son site la mise en production d’un SSD en mémoire QLC d’une capacité de 4 Tera Octets à destination du grand public.

Le disque est un SSD au format 2,5 pouces qui offre des performances similaires à ce que proposent les SSD en NAND Flash TLC actuels, à savoir : 540 Mo/s en lecture et 520 Mo/s en écriture. Si un SSD de 4 To est déjà sur les rails, sachez que Samsung prévoit aussi des versions 1 et 2 To.

A noter que Samsung envisage aussi de mettre sur le marché des cartes mémoires de fortes capacités utilisant de la mémoire NAND Flash QLC. On pourra donc voir arriver d’ici peu des cartes (SDXC et microSDXC) de 128 Go exploitant ce type de mémoire.

1 commentaire
  1. Yankev

    QLC = durée de vie encore plus courte que les TLC, qui déjà ne volaient pas bien haut.

    Pourtant ce même Samsung avait présenté, il y a plusieurs années déjà, les modèles 850/860 PRO en 4To avec une techno MLC, autrement plus fiable… Trop fiable peut-être?

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